可控硅基本伏安特性

　　（1）反向特點(diǎn)

　　當(dāng)操縱極引路，陽(yáng)極氧化再加反向工作電壓時(shí)（詳細(xì)圖2），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。這時(shí)只有穿過(guò)不大的反向飽和狀態(tài)電流，當(dāng)工作電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，接差J3結(jié)也熱擊穿，電流快速提升，圖3的特點(diǎn)剛開(kāi)始彎折，如特點(diǎn)AN段圖示，彎曲處的工作電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓”。這時(shí)，可控硅會(huì)產(chǎn)生永久反向。

　　陽(yáng)極加上反向電壓

　?。?）正向特點(diǎn)

　　當(dāng)控制極開(kāi)路，陽(yáng)極氧化上再加正向工作電壓時(shí)（見(jiàn)圖3），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與一般PN結(jié)的反向特點(diǎn)類(lèi)似，也只有穿過(guò)不大電流量，這叫正向阻隔情況，當(dāng)工作電壓提升，圖3的特點(diǎn)發(fā)生了彎折，如特點(diǎn)OA系統(tǒng)段圖示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓

　　陽(yáng)極加正向電壓

　　因?yàn)楣ぷ麟妷荷仙絁2結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，J2結(jié)產(chǎn)生山崩增長(zhǎng)效用，在結(jié)區(qū)造成很多的電子器件和空化，電子器件時(shí)入N1區(qū)，空化時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與由P1區(qū)根據(jù)J1結(jié)引入N1區(qū)的空化復(fù)合型，一樣，進(jìn)到P2區(qū)的空化與由N3區(qū)根據(jù)J3結(jié)引入P2區(qū)的電子器件復(fù)合型，雪崩擊穿，進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與進(jìn)到P2區(qū)的空化分別不可以所有復(fù)合型掉，那樣，在N1區(qū)就會(huì)有電子器件累積，在P2區(qū)就會(huì)有空化累積，結(jié)果使P2區(qū)的電位差上升，N1區(qū)的電位差降低，J2結(jié)變?yōu)檎?，要是電流量稍提升，工作電壓便快速降低，出現(xiàn)說(shuō)白了負(fù)阻特點(diǎn)，見(jiàn)圖3的虛線AC段。

　　這時(shí)候J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處在正偏，可控硅便進(jìn)到正向?qū)щ娦郧闆r---通態(tài)，這時(shí)，它的特點(diǎn)與一般的PN結(jié)正向特點(diǎn)類(lèi)似，（由此可見(jiàn)圖2中的BC段）。

　　浙江理工電氣有限公司是一家集產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)制造、市場(chǎng)銷(xiāo)售和服務(wù)項(xiàng)目于一體的高新科技公司，常州市“皇城英才計(jì)劃”拔尖企業(yè)，著眼于為客戶(hù)出示電能質(zhì)量、能效管理和安全用電的系統(tǒng)軟件解決方法，為客戶(hù)高效率和用電安全服務(wù)保障。